在半导体制造领域，壹个普遍认知是，生产7纳米下面内容的高级芯片离不开EUV光刻机。这一技术门槛，正是美国限制ASML给中国出口EUV光刻机的决定因素所在，其目的显而易见，旨在遏制中国在先进芯片制造领域的提高。

然而，这种技术封锁并未让中国半导体行业感到绝望。相反，它激发了中国自主研发的决心。一旦掌握了自主制造能力，无论美国怎样限制，中国都能应对自如，由于核心技术的掌握意味着不再受制于人。

随着时刻的推移，美国的封锁范围不断扩大，连先进的DUV光刻机也被纳入禁运之列。但中国半导体企业早有准备，国内晶圆厂在禁令实施前已采购了足够数量的DUV光刻机，因此这一举措并未造成太大影响。

虽然如此，EUV光刻机仍是悬在中国半导体行业头上的一把利剑。毕竟，没有它，似乎很难跨越7纳米下面内容的工艺门槛。而国内EUV光刻机的量产，似乎还遥遥无期。

然而，近日有专业机构带来了一线曙光。据解析，利用现有的浸润式DUV光刻机，学说上也可以制造出2纳米级别的芯片。这一发现，无疑为中国半导体行业提供了新的也许。

根据台积电的资料，马上量产的“2纳米”节点芯片，其最小（金属）半节距为10纳米。值得注意的是，即使采用EUV光刻机，也无法一次性完成光刻，由于这一精度已超出了目前最先进EUV体系的分辨率。因此，EUV光刻机同样需要采用多次爆料技术，如双重图案化（SADP）来实现。

除了SADP外，还有一种名为六重图案化（SASP）的技术方法。采用这种方法，等于于进行六次爆料，可以将光刻机的分辨率降低至标准的六分其中一个。以浸润式DUV光刻机为例，其能达到的分辨率一般为38纳米。如果采用SASP方法，则可以达到6.3纳米半间距，而2纳米芯片的半间距为10纳米。

因此，从学说上讲，2纳米芯片也可以运用DUV光刻机来制造。当然，这种SASP方法实施起来难度较大，需要在SADP（双对准）后紧接着进行SATP（三对准）。

虽然实施起来颇具挑战，但这一发现无疑为中国半导体行业提供了真贵的路线和参考。它意味着，即使没有EUV光刻机，中国半导体行业也并非无路可走。当然，这种复杂工艺会导致良率降低、成本上升，因此在非必要情况下不会轻易采用。然而，在决定因素时刻，这或许将成为中国半导体行业突破封锁的决定因素。